收藏
分享
100G PAM4 高速VCSEL技术开发
2017人浏览
发布时间: 2023-07-07 15:00:46 剩余时间: 61天
需求编号
FT5356653490324480
发布者
无锡博士汇创技术转移有限公司
需求状态
待解决
意向投入
面议
联系方式
195xxxx2089 【点击查看】
要解决的技术问题: ①突破现有芯片的设计,把VCSEL的速率提升到现有水平的2~4倍,同时保证芯片的可靠性及生产良率。 技术背景:随着5G的发展与普及,自动驾驶技术的逐步成熟,对通信数据吞吐量和传输时延提出了更高的要求,进而推动了通信基站和数据中心建设和升级,亟需更高数据传输速率、更低成本的光模块。其中,光模块的核心芯片之一就是半导体激光器芯片。VCSEL (垂直腔面发射激光器) 作为一种高可靠,低成本的半导体激光器芯片,被广泛应用于数据中心和5G基站之中。目前高速率的VCSEL芯片大部分由海外公司垄断,国产芯片厂商想要突围,需要在芯片性能、可靠性、成本等方面做出突破。其中100G PAM4 高速VCSEL芯片在全球范围内,并无成熟产品。 指标: ①平均工作电流(Average Operating Current,符号Iop):Po典型值为2W; ②输出功率(Output Power,符号Pop):Pop≥2.5mW,典型值为3.0mW; ③工作电压(Operation Voltage,符号Vop):Vop≤2.4V,典型值为2.1V; ④中心波长(Center Wavelength,符号为λ):840nm≤λ≤860nm,典型值为850nm; ⑤调制带宽(Modulation Bandwidth,符号为f-3dB):f-3dB≥26GHz,典型值为28GHz; ⑥相对强度噪声(RIN,符号为RIN):RIN≤-145dB/Hz; ⑦TDECQ:TDECQ≤5dB 预期效果:100G PAM4高速VCSEL主要应用于数据中心和5G基站,其重要的性能指标为数据传输速率达到100Gpbs。
技术领域
电子信息,微电子技术
需求类型
关键技术研发
有效期至
2024-12-31
合作方式
合作开发
需求来源
服务机构
所在地区
最新动态
暂无数据