要解决的技术问题： ①突破现有芯片的设计，把VCSEL的速率提升到现有水平的2~4倍，同时保证芯片的可靠性及生产良率。 技术背景：随着5G的发展与普及，自动驾驶技术的逐步成熟，对通信数据吞吐量和传输时延提出了更高的要求，进而推动了通信基站和数据中心建设和升级，亟需更高数据传输速率、更低成本的光模块。其中，光模块的核心芯片之一就是半导体激光器芯片。VCSEL (垂直腔面发射激光器) 作为一种高可靠，低成本的半导体激光器芯片，被广泛应用于数据中心和5G基站之中。目前高速率的VCSEL芯片大部分由海外公司垄断，国产芯片厂商想要突围，需要在芯片性能、可靠性、成本等方面做出突破。其中100G PAM4 高速VCSEL芯片在全球范围内，并无成熟产品。 指标： ①平均工作电流（Average Operating Current，符号Iop）：Po典型值为2W； ②输出功率（Output Power,符号Pop）：Pop≥2.5mW，典型值为3.0mW； ③工作电压（Operation Voltage,符号Vop）：Vop≤2.4V，典型值为2.1V； ④中心波长（Center Wavelength，符号为λ）：840nm≤λ≤860nm，典型值为850nm； ⑤调制带宽（Modulation Bandwidth，符号为f-3dB)：f-3dB≥26GHz，典型值为28GHz； ⑥相对强度噪声（RIN，符号为RIN）：RIN≤-145dB/Hz； ⑦TDECQ：TDECQ≤5dB 预期效果：100G PAM4高速VCSEL主要应用于数据中心和5G基站，其重要的性能指标为数据传输速率达到100Gpbs。