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一种具有良好传感裕度的STT-MRAM传感电路
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商品编号
47762050952243248881
商品权属
自有
交易方式
技术转让
商品价格
面议

店铺信息

无锡博士科技
电话 153xxxx1277
本发明公开了一种具有良好传感裕度的STT?MRAM传感电路,属于计算机存储技术领域。所述STT?MRAM传感电路通过采用动态参考电压发生器产生动态参考电压VREF,使得当STT?MRAM处于高阻RAP、位线电压VBL_AP较大时,动态参考电压发生器将参考电压降低,而当STT?MRAM处于低阻RP、位线电压VBL_P较小时,通过动态参考电压发生器将参考电压升高,从而大幅度增大了|VREF?VDATA|的值,进而增大了传感裕度SM;同时采用恒流源将读取电路Iread钳位在10?100μA范围内,避免传感操作期间的读取干扰(RD)。
本发明公开了一种具有良好传感裕度的STT?MRAM传感电路,属于计算机存储技术领域。所述STT?MRAM传感电路通过采用动态参考电压发生器产生动态参考电压VREF,使得当STT?MRAM处于高阻RAP、位线电压VBL_AP较大时,动态参考电压发生器将参考电压降低,而当STT?MRAM处于低阻RP、位线电压VBL_P较小时,通过动态参考电压发生器将参考电压升高,从而大幅度增大了|VREF?VDATA|的值,进而增大了传感裕度SM;同时采用恒流源将读取电路Iread钳位在10?100μA范围内,避免传感操作期间的读取干扰(RD)。
商品类型 技术成果 项目阶段 批量生产 成果权属 独占
技术领域 生物与新医药 交易方式 技术转让 有效期至 长久有效
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