本发明公开了一种具有良好传感裕度的STT?MRAM传感电路，属于计算机存储技术领域。所述STT?MRAM传感电路通过采用动态参考电压发生器产生动态参考电压VREF，使得当STT?MRAM处于高阻RAP、位线电压VBL_AP较大时，动态参考电压发生器将参考电压降低，而当STT?MRAM处于低阻RP、位线电压VBL_P较小时，通过动态参考电压发生器将参考电压升高，从而大幅度增大了|VREF?VDATA|的值，进而增大了传感裕度SM；同时采用恒流源将读取电路Iread钳位在10?100μA范围内，避免传感操作期间的读取干扰(RD)。

本发明公开了一种具有良好传感裕度的STT?MRAM传感电路，属于计算机存储技术领域。所述STT?MRAM传感电路通过采用动态参考电压发生器产生动态参考电压VREF，使得当STT?MRAM处于高阻RAP、位线电压VBL_AP较大时，动态参考电压发生器将参考电压降低，而当STT?MRAM处于低阻RP、位线电压VBL_P较小时，通过动态参考电压发生器将参考电压升高，从而大幅度增大了|VREF?VDATA|的值，进而增大了传感裕度SM；同时采用恒流源将读取电路Iread钳位在10?100μA范围内，避免传感操作期间的读取干扰(RD)。